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C波長10W rf射頻工率 GaN HEMT CG2H40010 CREE

公布的時(shi):2022-07-22 16:35:48     閱覽:1055

CREE的CG2H40010是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CG2H40010;從28伏電流電壓軌運轉;提供通用型的;C波段10W射頻功率GaN HEMT CG2H40010主要用(yong)于多種(zhong)射頻和微(wei)波應用(yong)的光纖(xian)寬帶(dai)解決(jue)方案(an)。GaNH EMT提供高效(xiao)率;高增益和光纖寬帶寬性能;使CG2H40010成為了線性和壓(ya)縮(suo)功(gong)率放大電(dian)路的理想化選(xuan)擇。晶體管適合于兩種旋緊(jin)式;法(fa)蘭和焊接藥丸封裝形式。

CREE.png

特點

敢達8GHz的調節(jie)

2.0GHz時18dB小的信號(hao)增(zeng)益控(kong)制值

4.0GHz時16dB小4g信(xin)號增益值(zhi)值(zhi)

17W一般(ban)PSAT

PSAT70%的(de)工(gong)作效率

28伏操作

2路各人錄音機

移動寬帶變成器

蜂窩(wo)根基場地設施建造

檢查裝置

ClassA;AB;主耍用到OFDM的平滑圖(tu)像(xiang)放大(da)儀;W-CDMA;EDGE;CDMA波(bo)型(xing)

CREE(科(ke)(ke)銳(rui))組(zu)建于(yu)1987年(nian)(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)掌握30年(nian)(nian)的(de)網絡帶寬GAP鋼筋取(qu)樣料(liao)和(he)企業創新商品,CREE科(ke)(ke)銳(rui)不是個詳細完整的(de)來設計(ji)媒體合作火伴,契合頻射(she)的(de)訴(su)求,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行同行業的(de)技術前沿的(de)絲機的(de)設備可(ke)以(yi)提供更強的(de)最大功率(lv)和(he)更低的(de)特點耗(hao)損率(lv)。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最開端(duan)的(de)GaN材料(liao)LED服務(wu)技藝進取(qu)全市場,到(dao)微波(bo)通信(xin)頻射(she)與mm波(bo)單片機芯片服務(wu),CREE科(ke)(ke)銳(rui)于(yu)2017年(nian)(nian)破乳出徽波(bo)rf射(she)頻公(gong)司Wolfspeed,以(yi)帶寬、大工作效(xiao)率(lv)調(diao)大器成(cheng)品為上(shang)海特色(se)。

上海市立維(wei)創展科(ke)學技術是CREE的生產商商,有了CREE紅(hong)外(wai)(wai)光電子元件(jian)好處購(gou)貨校(xiao)園營銷渠道,并長時銷量外(wai)(wai)盤(pan),以作中(zhong)國(guo)現代(dai)貿易市場要求。

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廠品 SKU

技(ji)術(shu)設備

最長頻次

最多(duo)的頻率

峰(feng)峰(feng)值輸入輸出(chu)功

可(ke)以獲(huo)得

能力

工作(zuo)中額定電壓

的(de)形式

包裝箱類型的

CG2H40010P

增(zeng)碳硅上的氮化鎵(jia)

DC

6GHz

10 W

>16 dB

65%

28V

打(da)包(bao)封裝(zhuang)分(fen)立(li)多(duo)晶(jing)體管

Pill

CG2H40010F-AMP

增(zeng)碳硅(gui)上的氮化鎵(jia)

3.5GHz

3.9GHz

10 W

>16 dB

NA

28 V

評價指(zhi)標板

Flange

CG2H40010F

炭化硅(gui)上的氮化鎵

DC

6GHz

10 W

>16 dB

65%

28 V

二極(ji)管封裝分(fen)立結晶(jing)體管

Flange


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