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公(gong)布的的時間:2023-02-16 16:39:32 搜素:735
CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設(she)計適用(yong)于1200至1400MHz頻(pin)率(lv)段的功率(lv)放大(da)器應用(yong)領域。特(te)性包括高(gao)增益(yi)和(he)帶(dai)螺(luo)母固(gu)定法蘭(lan)盤的熱高(gao)性能封裝形式(shi)。PTVA120501EA-V1選用(yong)Wolfspeed領先的LDMOS工藝技術(shu);PTVA120501EA-V1提供優(you)異的熱穩定性和(he)優(you)異的安全可(ke)靠性。

結構特征
寬帶(dai)網(wang)絡復制(zhi)粘貼更換(huan)
高增(zeng)加收(shou)益和(he)高經濟效(xiao)益
最典型示范的電脈沖(chong)CW耐熱性指(zhi)數公(gong)式(shi);1200–1400MHz
50伏
300ms智能不斷(duan)地精力
10%pwm占空比
P1dB時的的輸出功(gong)效54W
轉化(hua)率高率55%
增(zeng)益(yi)控(kong)制值16dB
融合化(hua)ESD確保
低熱導率
無鉛并(bing)符合國家RoHS標(biao)準暫行規定
利用范疇
1200至1400MHz頻(pin)次段的工作功率變大器;預(yu)警雷(lei)達定向天線
CREE(科(ke)銳(rui)(rui))解散于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)具備30許多年的光纖寬(kuan)帶(dai)GAP原的原材料(liao)和(he)革新(xin)新(xin)技(ji)術(shu),CREE科(ke)銳(rui)(rui)不是個完整(zheng)的的設汁合(he)作共贏夥伴,合(he)適rf射(she)頻(pin)的消費(fei)需求,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行業(ye)(ye)界新(xin)技(ji)術(shu)領先地(di)位的器機專用(yong)設備展示(shi) 更(geng)強(qiang)的耗油(you)率(lv)和(he)更(geng)低的實用(yong)功(gong)能耗率(lv)。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最展開(kai)的GaN材料(liao)LED物(wu)(wu)品(pin)技(ji)術(shu)水平專業(ye)(ye)全時代,到(dao)紅外光頻(pin)射(she)與毫米(mi)(mm)波集成電路芯片物(wu)(wu)品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年溶(rong)合(he)出微波通信頻(pin)射(she)產品(pin)Wolfspeed,以寬(kuan)帶(dai)網、大電率(lv)增加器企(qi)業(ye)(ye)產品(pin)為(wei)少數民族(zu)特(te)色。
珠海市立維創展(zhan)科技公司是CREE的銷(xiao)售商(shang),擁有的CREE微(wei)波(bo)加熱(re)電(dian)子元器(qi)件(jian)主要(yao)優(you)勢供應商(shang)校園(yuan)推廣(guang)渠道(dao),并長時銷(xiao)量(liang)現貨交易,以便中(zhong)國(guo)人賣場(chang)需求分(fen)析。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA120501EA-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 50 W | 17 dB | 50% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |