產業咨訊
發布了精力(li):2023-03-10 16:33:00 瀏覽訪(fang)問(wen):1317
Wolfspeed的CG2H30070F是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具有輸入適配,能夠在0.5-3.0GHz范圍之內提供最理想的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更優越的使用性能;CG2H30070F包括更好的擊穿場強;更好的飽和電子飄移速度和更好的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還(huan)提供了更好的(de)(de)功率(lv)密度(du)和更寬(kuan)的(de)(de)帶寬(kuan)。CG2H30070F選用2導線金屬/陶瓷法蘭盤封裝(zhuang),可以實現最理想的(de)(de)電(dian)氣(qi)和熱穩定性。

特證
0.5–3.0GHz運用(yong)電(dian)原電(dian)路(lu)系統
28V時標稱(cheng)參考值85WPOUT
10dB瓦數增(zeng)加收益值
58%的排氣閥(fa)門高效率(lv)
的內部適應
應用領域
移動寬帶縮放器
網絡通信抵御(yu)計劃方(fang)案
電磁波串擾
聲納遙測
數據統計接入
CREE(科(ke)銳(rui)(rui))組建于1987年(nian)(nian),CREE科(ke)銳(rui)(rui)享(xiang)有30多年(nian)(nian)以(yi)來的(de)(de)寬帶(dai)網GAP原(yuan)裝修材料(liao)(liao)料(liao)(liao)和(he)創新技術廠品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)就是個齊(qi)全的(de)(de)方案合作方式小伙伴,適用微波射(she)頻的(de)(de)要求,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為行(xing)業(ye)界系統優(you)勢(shi)的(de)(de)服務器的(de)(de)設備給予更強的(de)(de)公(gong)率和(he)更低的(de)(de)基本功能消耗的(de)(de)資金。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最準(zhun)備的(de)(de)GaN材料(liao)(liao)LED企業(ye)的(de)(de)產(chan)品(pin)技術應(ying)用進取全全球,到(dao)紅外光rf射(she)頻與mm毫米波電源芯片(pian)企業(ye)的(de)(de)產(chan)品(pin),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年(nian)(nian)隔離出紅外光頻射(she)茶葉品(pin)牌(pai)Wolfspeed,以(yi)帶(dai)寬、大公(gong)率圖像(xiang)放大儀物品(pin)為標(biao)志性。
蘇州(zhou)市(shi)(shi)立(li)維(wei)創展自動(dong)化是CREE的經售(shou)商,擁(yong)有的CREE微波(bo)射(she)頻(pin)集(ji)成電路芯片強(qiang)勢供貨(huo)期方式,并短期貨(huo)源期貨(huo),僅(jin)作(zuo)我國(guo)市(shi)(shi)揚要(yao)。
詳情頁要了解CREE紅外光射頻紅外光請雙擊://dev.www.gyzhkj.com/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H30070F-AMP2 | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CG2H30070F | GaN on SiC | 0.5 GHz | 3 GHz | 80 W | 15 dB | 55% | 28 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |