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公布(bu)的時(shi)段:2023-03-24 16:36:20 挑選:856
Wolfspeed的CGHV40100是前所未變的;氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,滲透率氯化鈉晶體管(HEMT)。CGHV40100;配用50伏功率電壓軌任務;提拱一些基礎型;幾種個種頻射和徽波技術應用的寬帶網絡寬解決解決方案。CGHV40100提高有效化;高收獲和移動寬帶寬效果;使CGHV40100變成了直線和解壓縮效率變成用電線路的最適選擇。CGHV40100管挑選2輸電線法蘭片盤和藥丸式封裝表現形式表現形式。
優點
高至(zhi)3GHz的操作步(bu)驟
100W非常(chang)經(jing)典打出電率
2.0GHz時的17.5dB小數據信號增益控(kong)制(zhi)值
0.5–2.5GHz應(ying)用領域電控(kong)制電路
PSAT優(you)質化55%
50伏(fu)超控
APP
規(gui)則化和壓縮(suo)視頻(pin)工作效率縮(suo)放線路
CREE(科銳(rui))公(gong)司設立于1987年,CREE科銳(rui)擁(yong)有30數年的(de)移動寬帶GAP原文件(jian)料和不斷產(chan)品與服務(wu)上(shang)市(shi)的(de),CREE科銳(rui)是個完美(mei)的(de)構(gou)思(si)加盟火伴(ban),符合國家rf射(she)頻的(de)要,CREE科銳(rui)為(wei)行(xing)(xing)行(xing)(xing)業技(ji)(ji)術(shu)性(xing)最前沿(yan)的(de)機器生(sheng)產(chan)設備生(sheng)產(chan)設備提(ti)高(gao)更強的(de)輸(shu)出和更低的(de)系(xi)統衰減。CREE科銳(rui)由最進行(xing)(xing)的(de)GaN基面材料LED設備技(ji)(ji)術(shu)領先(xian)地位世(shi)界上(shang)最里,到微(wei)波微(wei)波射(she)頻微(wei)波射(she)頻與分(fen)米波IC芯片設備,CREE科銳(rui)于2017年隔(ge)離出微(wei)波rf射(she)頻rf射(she)頻公(gong)司Wolfspeed,以寬帶網絡、大(da)公(gong)率調大(da)器廠品為(wei)優點(dian)。
南京市(shi)立維創展科技(ji)欧(ou)洲一(yi)区二(er)区-欧(ou)美激情(qing)一(yi)区二(er)区-国(guo)产激情(qing)在线-欧(ou)美在线一(yi)区二(er)区是CREE的批(pi)發商商,具備CREE微波(bo)射頻元(yuan)件(jian)優點供貨期渠(qu)道管理,并經常性貨存現貨黃金,以供國內 行業所(suo)需。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV40100P | GaN on SiC | DC | 3 GHz | 100 W | 17.5 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Pill |
CGHV40100P-AMP | GaN on SiC | 0.5 GHz | 2.5 GHz | 100 W | 17.5 dB | 55% | 50 V | Evaluation Board | Pill |
CGHV40100F-AMP | GaN on SiC | 0.5 GHz | 2.5 GHz | 100 W | 17.5 dB | 55% | 50 V | Evaluation Board | Flange |
CGHV40100F | GaN on SiC | DC | 3 GHz | 100 W | 17.5 dB | 55% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Flange |