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上線(xian)周期:2023-06-13 16:42:27 看:1292
CREE的GTVA107001EC是款700瓦GaN on SiC高(gao)電子遷移(yi)率晶體管(HEMT),適用于(yu)960至1215MHz頻(pin)率段。GTVA10700具備(bei)輸入適配功能性;高(gao)效化;和熱強化封裝;帶螺(luo)母(mu)穩固(gu)法蘭盤(pan)。
結構特征
投入替換
重視(shi)的脈寬CW效(xiao)能因素(su)(AB類);1030MHz;50伏;128ms脈寬高寬比;10%pwm占空(kong)比;所在(zai)瓦數P3dB=890W;引流術成(cheng)功率=75%;增(zeng)加收益值=18dB
還可以(yi)能受10:1阻(zu)抗失諧(脈(mo)(mo)沖(chong)發生器癥狀下(xia)700W瓦數打印輸(shu)出下(xia)的那(nei)些相位差:50V;100mAIDQ;128μs輸(shu)入脈(mo)(mo)沖(chong)長寬比;10%pwm占空(kong)比
嫩模對模型類IC(可(ke)根(gen)據ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
無鉛并符合標(biao)準(zhun)RoHS標(biao)準(zhun)規定規定
用
預警雷達放小器
CREE(科(ke)(ke)銳)開辦于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳具(ju)備條(tiao)件30豐富的(de)(de)網絡帶寬(kuan)(kuan)GAP原料(liao)料(liao)和創(chuang)新技(ji)術(shu)產(chan)品(pin),CREE科(ke)(ke)銳就是一個系統(tong)的(de)(de)設(she)汁(zhi)加(jia)盟摯友,非常符合頻(pin)射(she)的(de)(de)需(xu)求(qiu)量,CREE科(ke)(ke)銳為(wei)行在(zai)業內工(gong)藝世界(jie)領先的(de)(de)POS機設(she)備出示(shi)更強的(de)(de)輸(shu)出和更低(di)的(de)(de)功(gong)能表損(sun)失。CREE科(ke)(ke)銳由最已(yi)經開始(shi)的(de)(de)GaN基面(mian)材(cai)料(liao)LED品(pin)牌的(de)(de)技(ji)木遙(yao)遙(yao)領先全所(suo)有,到微波頻(pin)射(she)頻(pin)射(she)與(yu)毫米(mm)波集成ic品(pin)牌的(de)(de),CREE科(ke)(ke)銳于(yu)2017年(nian)分割出徽波rf射(she)頻(pin)產(chan)品(pin)品(pin)牌Wolfspeed,以寬(kuan)(kuan)帶網、大耗油率(lv)變成器(qi)廠(chang)品(pin)為(wei)優(you)點。
東莞市立維創(chuang)展科技開發是(shi)CREE的生產商商,收獲(huo)CREE微波通信元器件(jian)封裝優(you)越性(xing)供貨期(qi)(qi)渠道(dao)方式,并長期(qi)(qi)的倉庫期(qi)(qi)貨,以(yi)期(qi)(qi)中整個市場(chang)要(yao)。
內容介紹CREE微波射頻射頻微波射頻請點://dev.www.gyzhkj.com/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA107001FC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Earless |
GTVA107001EC-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.215 GHz | 700 W | 20 dB | 70% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |