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CREE的PTVA127002EV-V1 LDMOS FET設(she)計適用于(yu)1200至1400MHz頻(pin)率(lv)段的(de)(de)功率(lv)放大器應(ying)用領域(yu)。其特(te)征包(bao)括具備螺母(mu)穩(wen)固法蘭(lan)盤的(de)(de)高增益和耐高溫增強型封裝形(xing)式。PTVA127002EV-V1選用Wolfspeed領先的(de)(de)LDMOS制造技術(shu)；PTVA127002EV-V1提供(gong)優(you)異(yi)的(de)(de)熱穩(wen)定性(xing)和優(you)異(yi)的(de)(de)安(an)全可靠性(xing)。

表現形式

移動(dong)寬(kuan)帶投入(ru)轉換配適

高增益控制、便捷率

融合化(hua)ESD庇(bi)護(hu)

女模繪圖2級（基(ji)于ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

低導熱系數

出色的穩如泰山性

無(wu)鉛(qian)并(bing)做到RoHS規范

應用軟件方向

1200至1400MHz幀率段(duan)的(de)瓦數放小(xiao)器；雷達(da)測探測探

CREE（科(ke)銳(rui)）確立于1987年(nian)，CREE科(ke)銳(rui)應有(you)30余年(nian)的(de)(de)寬帶網(wang)絡GAP原建筑材料(liao)(liao)料(liao)(liao)和革新(xin)食品，CREE科(ke)銳(rui)是個(ge)詳細完整的(de)(de)定制企業(ye)合(he)作(zuo)夥伴，達到rf射頻的(de)(de)的(de)(de)需(xu)求，CREE科(ke)銳(rui)為行業(ye)內人士高技(ji)術智(zhi)領(ling)的(de)(de)機(ji) 機(ji) 給出(chu)(chu)更(geng)強的(de)(de)公率(lv)和更(geng)低(di)的(de)(de)特點(dian)耗率(lv)。CREE科(ke)銳(rui)由最就開始的(de)(de)GaN基(ji)本的(de)(de)材質材料(liao)(liao)LED新(xin)成品工藝專(zhuan)業(ye)全環境，到微波加(jia)熱頻射與厘米(mi)波處(chu)理芯片新(xin)成品，CREE科(ke)銳(rui)于2017年(nian)提取出(chu)(chu)微波加(jia)熱rf射頻廠家Wolfspeed，以寬帶網(wang)、大工作(zuo)功率(lv)圖像放大器(qi)電路產品設備為自(zi)己的(de)(de)特色。

南京(jing)市(shi)立維創展高新科(ke)技是CREE的銷售商(shang)，得(de)到CREE微波射頻功(gong)率器件(jian)優(you)勢供應渠道方式，并長久的貨源期貨，以防(fang)華人市(shi)揚標準。

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