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CREE的PTVA101K02EV LDMOS FET設計用(yong)作1030MHz/1090MHz頻率(lv)(lv)段的(de)功率(lv)(lv)放大器應用(yong)領域。PTVA101K02EV-V1特性(xing)(xing)包(bao)含具(ju)備螺栓穩固法(fa)蘭盤的(de)高增益(yi)和耐高溫(wen)高性(xing)(xing)能封(feng)裝。選(xuan)用(yong)Wolfspeed前沿的(de)LDMOS工藝(yi)技術；PTVA101K02EV-V1具(ju)備優(you)異(yi)的(de)熱穩定(ding)性(xing)(xing)和優(you)質(zhi)系(xi)統的(de)可(ke)靠性(xing)(xing)。

本質特征

移動寬帶插入兼容

高增加收益、優質率

集成化(hua)化(hua)ESD呵(he)護

中國女(nv)模三維模型2級（只能(neng)根據ANSI/ESDA/JEDECJS-001）

低熱傳導數值

無鉛并(bing)滿(man)足(zu)了RoHS標(biao)淮

在MODE-S輸入脈沖(chong)具(ju)體(ti)情(qing)況(kuang)下(xia)可(ke)能(neng)抗住(zhu)1000W的10:1負載電阻(zu)失諧(xie)（因(yin)此相角）；（32μS激活/18μS退(tui)出）X80；LTDF=6.4%。

適用各個領域

1030至(zhi)1090MHz聲音(yin)頻率(lv)段的最大功率(lv)變(bian)成器

CREE（科(ke)銳）設立于1987年(nian)，CREE科(ke)銳遵循30許多年(nian)的(de)(de)(de)聯通寬(kuan)帶GAP原(yuan)素材(cai)料(liao)和全新物(wu)料(liao)，CREE科(ke)銳也是個全部的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)設計達成合作(zuo)摯(zhi)友，具有rf射頻(pin)(pin)的(de)(de)(de)要，CREE科(ke)銳為(wei)行(xing)在(zai)業內技術性智領的(de)(de)(de)服務器機(ji) 展示 更強的(de)(de)(de)瓦數(shu)和更低的(de)(de)(de)功能模塊損耗(hao)率。CREE科(ke)銳由(you)最(zui)已經的(de)(de)(de)GaN基面(mian)材(cai)料(liao)LED產(chan)(chan)品技術領先地位全宇宙(zhou)，到紅外(wai)光(guang)頻(pin)(pin)射與亳米(mi)波集成電路芯片產(chan)(chan)品，CREE科(ke)銳于2017年(nian)隔離出微(wei)波加熱(re)頻(pin)(pin)射產(chan)(chan)品Wolfspeed，以寬(kuan)帶網、大(da)(da)熱(re)效率調大(da)(da)器服務為(wei)獨特。

西安市(shi)立維創(chuang)展技術是CREE的銷售商(shang)(shang)，有(you)CREE微(wei)波加熱電子元器(qi)件(jian)優勢與劣勢供(gong)應商(shang)(shang)校園營銷渠道，并(bing)經常(chang)性存貨現貨交易，以防全國市(shi)揚(yang)需求分析。

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