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CREE的(de)(de)(de)CGHV96130F是(shi)增碳(tan)硅(SiC)基面材料上的(de)(de)(de)氮化鎵(GaN)高轉移率單晶體(ti)管(guan)(HEMT)與(yu)各種技能想(xiang)必，CGHV96130F內(nei)部組織應用(yong)(IM)FET擁有卓(zhuo)越的(de)(de)(de)電機功(gong)率扣除利用(yong)率。與(yu)砷化鎵相對比，GaN含(han)有更有效的(de)(de)(de)性(xing)能方(fang)面；其中包括挺高的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)穿(chuan)透場強；挺高的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)飽合(he)微電子漂移進程(cheng)和(he)挺高的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)熱導(dao)率。與(yu)GaAs尖(jian)晶石管(guan)相較于，GaN HEMT還包括更(geng)強的額定(ding)功率(lv)孔隙率(lv)和(he)更(geng)寬的傳(chuan)輸速率(lv)。CGHV96130F在使用鋁合(he)金/陶瓷(ci)廠家法蘭部(bu)芯(xin)片封裝還可以確保(bao)最加的機電和(he)熱保(bao)持穩(wen)定(ding)性(xing)和(he)可靠性(xing)分(fen)析。

有特點

166WPOUT（經典值）

7.5dB輸出增加收益值

42%類型PAE

50Ω內層更換

<0.3dB工(gong)率急劇下降

貨品尺寸規格

描(miao)繪(hui)：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；核心使用(yong)于(yu)Xk線(xian)預(yu)警雷達(da)APP的(de)復制粘(zhan)貼/工作(zuo)輸出(chu)適應GaNHEMT

面值最小頻段(MHz)：8400

最大的頻繁(fan) (MHz)：9600

較(jiao)高值內容輸出工作電壓(ya)(W)：130

率(lv)（％）：42

額定負載額定容量(liang)(V)：40