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自偏(pian)置(zhi)低(di)噪聲放(fang)大器(qi)主(zhu)要針對目前自偏(pian)置(zhi)放(fang)大器(qi)的噪音和增益頻(pin)帶寬度無法滿(man)足各(ge)種的問題(ti)。主(zhu)要包(bao)括兩級功率(lv)(lv)放(fang)大電路(lu)，第(di)一級功率(lv)(lv)放(fang)大電路(lu)由(you)功率(lv)(lv)電感L2組成、NMOS管M1、PMOS管M2、負(fu)反饋電阻值R1與(yu)負(fu)載(zai)電源電路(lu)Z1相接(jie)；第一(yi)級功(gong)(gong)率放(fang)大(da)(da)電(dian)(dian)路的輸(shu)出端(duan)連接(jie)第二級功(gong)(gong)率放(fang)大(da)(da)電(dian)(dian)路，第二級功(gong)(gong)率放(fang)大(da)(da)電(dian)(dian)路由(you)共源NMOS管M3和匹配電(dian)(dian)阻(zu)(zu)R2組成。該M1管、M2管和M3管用作提供電(dian)(dian)壓(ya)增益，負反饋電(dian)(dian)阻(zu)(zu)值R1和功(gong)(gong)率電(dian)(dian)感L2用作輸(shu)入特性阻(zu)(zu)抗，負載電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路Z1拓展(zhan)增益頻帶(dai)寬度，匹配電(dian)(dian)阻(zu)(zu)R2用作輸(shu)出特性阻(zu)(zu)抗。

CHA3666-99F是(shi)款兩級自偏置寬帶單芯(xin)片低噪聲放(fang)大器。

CHA3666-99F采用標準PHEMT工藝技(ji)術：25um柵(zha)極長度、穿過襯(chen)底(di)的通(tong)孔、空氣橋和電(dian)子束柵(zha)極光刻技(ji)術。

一般功能

寬帶性能：6-17GHZ

1.8db噪聲(sheng)系數

26dbm三(san)階截距點(dian)

1db壓縮時(shi)的17dbm功率

21db增益值

低交流電電功能損耗

直流(liu)電偏置電壓：Vd=4.0伏@ld=80MA

封裝(zhuang)尺寸1.47x1.47x0.1mm