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CGHV96050F1是款碳化(hua)硅(SiC)基材上的(de)(de)氮(dan)化(hua)鎵(GaN)高(gao)電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同(tong)類產品相比(bi)，這些GaN內部搭(da)配CGHV96050F1具有卓越的(de)(de)功率附(fu)帶效(xiao)率。與硅或砷化(hua)鎵相比(bi)較(jiao)，GaN具有更(geng)加優異的(de)(de)性能；包含更(geng)高(gao)的(de)(de)擊穿場強；更(geng)高(gao)的(de)(de)飽(bao)和電子漂移效(xiao)率和更(geng)高(gao)的(de)(de)導熱系數。與GaAs晶體管相比(bi)較(jiao)，GaN HEMT還推出(chu)更高的(de)(de)功(gong)率密度和更寬(kuan)的(de)(de)帶寬(kuan)。CGHV96050F1使用金(jin)屬/陶瓷(ci)法蘭盤封裝形(xing)式，能夠(gou)實現最好電(dian)力設備(bei)和熱穩定性。

有特點

7.9–8.4GHz本職工作

80WPOUT（舉例值）

>13dB電(dian)率增益控制值(zhi)

33%主要線(xian)形PAE

50Ω的內(nei)部套裝搭配

<0.1dB熱效率削(xue)減

app領域

通信衛星通訊設備

地網絡帶寬

設備規模

文章的話(hua)：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；搜(sou)索/輸出精度如何搭配GaNHEMT

最低(di)的速率(MHz)：7900

很高(gao)幾率(MHz)：8400

較高值(zhi)工作輸出效率(W)：50

收獲值(dB)：13.0

吸收率（％）：33

額定(ding)功率(lv)電阻(V)：40

結構：打包封裝結構分(fen)立多(duo)晶體(ti)管

裝封樣式品目：法蘭部盤

技(ji)術設備選用：GaN-on-SiC