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NEL Frequency Controls的(de)AE-X32BXX系(xi)(xi)列(lie)壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器（VCXO）具備(bei)CMOS/LVCMOS輸出高頻率。AE-X32BXX-X系(xi)(xi)列(lie)壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器無需使用倍頻，具備(bei)極低噪聲系(xi)(xi)數和抖動。AE-X32BXX-X系(xi)(xi)列(lie)壓控晶體(ti)振(zhen)蕩器封裝在某個根據FR-4的(de)中小(xiao)型17x14mm SMD封裝中。

廣泛應用過程和效果

·頻帶寬度分解器，較低低頻噪音因子

·增強(qiang)性準確(que)-NELHALT/HASS具(ju)備尖晶石(shi)振蕩(dang)器(qi)器(qi)調用先決條件

·超(chao)高噪(zao)聲源(yuan)數值和會抖(dou)

·無乘法運算

·相對拉力依據（APR）至±1000ppm

·SONET±20ppm一體(ti)化(hua)隨意使用(yong)的(de)穩定性特點(dian)實用(yong)

·高隔震性，高達1000克(ke)

·COTS/Dualuse