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CMPA1C1D060D是款氧化硅單晶體上會按照氮化鎵 (GaN) 高智能電子知識率納米線管 (HEMT) 的片式徽波整合電線 (MMIC)；CMPA1C1D060DAPP0.25 μm柵極尺寸大小制成技藝。與硅比較較，GaN-on-SiC極具更有不錯的能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包涵更為重要一些的擊穿電壓場強；更為重要一些的飽和點電子器材漂移的效率和更為重要一些的導熱性標準值。

的特征

符合 26 dB 小的信號增(zeng)益(yi)值值

60 W 基本特(te)征 PSAT

額定電壓降高至 40 V

高擊穿電壓場強

溫度度控制車

應(ying)用研究方向研究方向

PTP 移動(dong)光(guang)纖通信

衛星信(xin)號無線通訊上漲(zhang)鏈接

的產品要求

陳(chen)述(shu)：60瓦(wa)；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 電功率(lv)變小(xiao)器

至少頻率(MHz)：12700

高(gao)率(MHz)：13250

最好值(zhi)工作輸出最大功率(W)：65

增益值值(dB)：26.0

轉化率（％）：30

額定(ding)的電流(liu)電壓(V)：40

基(ji)本模(mo)式：MMIC 裸片

二(er)極管封裝類：Die

枝術(shu)使用：GaN-on-SiC