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CREE的CMPA2735030是種跟據氮化鎵 (GaN) HEMT 的片式微波通信集成型電源電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵對比較，GaN兼具更非常好的的能力；涵蓋更快的的電壓擊穿場強；更快的的過剩電子設備漂移使用率和更快的的導電數值。與Si和GaAs硫化鋅管相對來說較，GaN HEMT還保證了更好的輸出功率高密度和更寬的下行帶寬。CMPA2735030以及多級電抗適用輸出功率放小器設計難點，要能變現和寬的帶寬起步。

的特征

載荷(he)系數電(dian)壓值自由高達(da) 50 V

高電壓擊穿場強

厚度為 5mm x 5mm；QFN 封(feng)裝(zhuang)

高溫環境度運用

使用范圍

民(min)用(yong)建(jian)筑型和軍民(min)融合(he)用(yong)輸入脈(mo)沖汽(qi)車雷達(da)公(gong)率(lv)變大(da)器

物品的規格

陳述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 工作電壓擴大器

最(zui)低標準(zhun)的頻率(MHz)：2700

最快率(MHz)：3500

最多值(zhi)傳輸電率(W)：30

增加收益值(dB：)30.0

事情錯(cuo)誤率（％）：45

功(gong)率端電壓(V)：50

表現形式：離(li)散裸處理器

封(feng)裝(zhuang)形式類(lei)屬(shu)：Die

科(ke)技：GaN-on-SiC

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