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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT擁有高模擬輸入輸出電率體積和寬帶網絡寬下的便捷率。雖然GaN HEMT的線形度常見比GaAs元件的線形度差。文中推出好幾回種方便的技術來提升GaN HEMT的線形度。所推出的技術是將元件截成與獨力管理的柵極偏置電流電容串聯的很多個子第一象限，但是上下聯第一象限模擬輸入輸出去電率搭配。

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