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自己檢測結果新一個功能卓越方面的GaN MMIC公率圖像拖動線路辦公在40MHz到400MHz直接。這種保證80W輸入脈沖造成的（100US輸入脈沖造成的長度和10%占空比）MMIC間歇）傷害公率（P5dB），40MHz，50W高吸收率為54%要花費30%的高吸收率在大方面的里邊股票波段，或是在400MHz時，高吸收率不斷縮減到30W，高吸收率為22%。40-400MHz頻段的公率增益值為25dB。這種過聯通光纖寬帶的性能方面是進行打版主機械設備來保證的。傷害電阻值，并運用特殊的聯通光纖寬帶線路符合拓撲結構學。有兩種主機械設備的詳細完整的設計方法工藝并如下符合線路。均值協議-聯通光纖寬帶圖像拖動線路，高額定電壓方法工藝，徽波功率器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
類別（圖2）。直流電源偏置電流和rf射頻工作工作輸出抗阻這些HIFET也都是1.4mm企業微型蓄電池的四倍。系統設計，尤其是在中頻段。能夠適度的會選擇企業第一摸塊式機器的長寬和第一摸塊式第一摸塊式機器的比例類別，我也可以優化方案HIFET工作工作輸出抗阻為介于50歐姆，以控制聯通寬帶能。