C頻譜rf微波射頻結單晶體管S頻譜rf微波射頻結單晶體管AM025WN-BI-R
發布了的時(shi)間:2018-10-31 15:42:33 閱讀(du):1735
描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R都是個離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極寬為2.5mm。它在瓷磚打包封口中自動運行高達8 GHz。BI系類用非常規的設計的瓷磚打包封口,兼備屈曲(Bi-G)或直(BI)引線的裝方試。打包封口左下角的卡箍與此同時算作直流電壓跨接、頻射跨接和熱路。這篇分是符合要求RoHS規則的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM025WN-BI-R
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1周
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50
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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益=16 dB,p5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56% @ 3 GHz。
表面貼裝
可行水冷的底
應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機