S股票波段高增益值高效率砷化鎵場定律多晶體管AM120MH2-BI-R
公布(bu)的時間:2018-11-05 15:21:31 挑選:1633
描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系的一款分。HIFET是一些適合的專屬了系統規定配置,代替高的電壓、高電機作業效率和寬帶網app。該元件的總元件內圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電機作業效率微波加熱app而規劃的,作業頻次到達6GHz。BI系應用一項特別的規劃的瓷質裝封,包括彎曲成或水平線的引線按裝方試。裝封尾部的活套法蘭同樣當做直流電跨接、頻射跨接和熱路。這樣HiFET是適合RoHS規定的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM120MH2-BI-R
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1周
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80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz
應用在有效果散熱的淘瓷打包封裝
應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信