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HMC635不是款GaAs PHEMT MMIC驅使程序增加器裸片，作業平率使用范圍圖為18至40 GHz。 該增加器帶來19.5 dB的增加收益，+29 dBm打出IP3及+23 dBm的打出電工作功率（1 dB增加收益縮減時），耗電為280 mA（+5V電原）。 HMC635相對適用于當做微波加熱手機無線電app的驅使程序增加器，或充當作業平率使用范圍圖為18至40 GHz的混頻器LO增加器，可帶來達+24 dBm的飽和打出電工作功率(15% PAE)。 隔直增加器I/O外部拼接50 Ω，相對適用于整合到多單片機集成電路電源芯片模組(MCM)中。 整個單片機集成電路電源芯片數據庫均應用單片機集成電路電源芯片得到 ，其憑借兩大厚度為500 μm的1 mil線焊拼接搜索和打出RF端口號。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC635 HMC635-SX	驅動放大器芯片，18 - 40 GHz	現貨	267

HMC635應用

• 點對點無線電
• 點對多點無線電和VSAT
• 混頻器用LO驅動器

• 軍事和太空

HMC635優勢和特點

• 增益： 19.5 dB
• P1dB: +23 dBm
• 輸出IP3： +29 dBm
• 飽和功率：
  +24 dBm (15% PAE)
• 電源電壓： +5V (280 mA)
• 50 Ω匹配輸入/輸出<
• 裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

HMC635結構圖