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CREE的CMPA1D1E025F是款無定形碳硅多晶硅上按照其氮化鎵 (GaN) 高電子技術轉入率結晶管 (HEMT) 的單面紅外光結合用電線路 (MMIC)；應用 0.25 μm 柵極長寬高做加工工藝制作 。與硅相較于較，GaN-on-SiC兼具更佳優異的的性能指標；砷化鎵或硅基氮化鎵；帶有更強的電壓擊穿場強；更強的飽和光學漂移能力和更強的傳熱性數值。CMPA1D1E025 選則 10 高壓導線；25 mm x 9.9 mm；金屬件/陶瓷廠家法蘭部盤封裝才可以體現最比較好的電設施和熱保持穩定性和可靠性處理。

特色

24 dB 小走勢增益值值

40 W 其最(zui)典型的脈(mo)沖發生器無線(xian)信(xin)號 PSAT

電機額定功率端電壓高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線(xian)形效率

A/B類高增(zeng)益控制；效果率 50 Ω MMIC Ku 規律(lv)段高最(zui)大功(gong)率調大器

運用科技領域

軍民(min)融合用和商業(ye) Ku 頻譜統(tong)計(ji)

類產品產品規格

詳情：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku k線 GaN MMIC 輸出功率變小器

較低工作頻率(MHz)：13500

是最高的率(lv)(MHz)：14500

最底(di)值(zhi)工作輸出電率(lv)(W)：25

收獲(huo)值(dB)：26.0

做工作利用率（％）：16

額(e)定(ding)負載直流電壓(V)：40

結構類型：裝封的(de)MMIC

二(er)極管封裝門類：法蘭片(pian)盤(pan)

系統：GaN-on-SiC

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