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CREE的CMPA1D1E030D是款增碳硅多晶硅上基于氮化鎵 (GaN) 高電子器件轉至率硫化鋅管 (HEMT) 的單面紅外光ibms電線 (MMIC)；CMPA1D1E030D所采用0.25μm柵極寬度加工過程技藝。與硅相對來說較，GaN-on-SiC具有著更佳非常好的安全性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含了較高的電壓擊穿場強；較高的過剩光電漂移學習效率和較高的導熱性比率。

共同點

27 dB 小數字信號增加收(shou)益值

30 W 典型性 PSAT

工作上輸(shu)出功率高至 40 V

高損壞場強

高溫環境度反控

操作層面

北斗衛星通信(xin)技術上行下行鏈

好產品規格型號

講述：30瓦；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 輸(shu)出(chu)功率調小器

低(di)于頻繁(MHz)：13750

較高頻次(MHz)：14500

高值輸出耗油率(lv)(W)：30

增(zeng)益控制值(dB)：26.0

速率（％）：25

工做(zuo)電(dian)流值(V)：40

樣式：MMIC 裸片

封口(kou)行業類(lei)型(xing)：Die

新(xin)技(ji)術：GaN-on-SiC

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