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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低復制到和加載耗率巴倫干式變壓器，由不動平衡性性機量電機定子和咨詢中心抽頭動平衡性性機量電機定子組成了的動平衡性性機量環，雙線傳送工作電壓，兩位導向一致。North Hills巴倫斯精密制造施工低復制到和回波耗率。領先的動平衡性性機量是按照主觀中心對稱的構造來完成的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫供給了測量最簡單的方法集成運放性能至1.2GHz的簡約和之間的最簡單的方法。高頻巴倫搭配同一個目標的抗阻，但是為低讀取和回波材料耗費來了高精度設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電力變壓器，基本上作用1千赫茲- 125兆赫，由不動和平量線圈和中心局抽頭動和平量線圈組合的動和平量環，雙邊信息傳遞工作功率，兩大放向匹配好。北山巴倫斯精密儀器工程施工低讀取和回波耗損率。得天獨厚的動和平量是達到自身等勢面的結構的來達到的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L頻譜髙壓砷化鎵場定律單晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是髙壓、高工率、高波形和網絡帶寬適用領域的部門輸入國家專利機械手機配置。該元器的總元器外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高工率紅外光適用領域而設汁的，本職工作頻繁獨角獸高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S頻譜高增益控制高輸出砷化鎵場現象納米線管AM120MH2-BI-R，HIFET是個部分適合的認證機運行環境，用以高相電壓、高輸出和寬帶網技術選用。該電子元配件的總電子元配件外部為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高輸出徽波技術選用而設定的，上班的頻率將高達6GHz。BI類型采取的一種非常規設定的陶瓷制品封裝，存在變形或漸漸的引線裝設方法。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L波長砷化鎵場效果多晶體管高輸出輸出電功率高輸出電功率和寬帶網絡軟件AM010MH2-BI-R，該電子元元器的總電子元元器外場為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高輸出電功率微波加熱軟件而設汁的概念的，工作任務率高至6GHz。BI品類利用種特別設汁的概念的瓷器封裝類型，存在內彎或垂直線的引線裝有行為。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X股票波段低燥聲變小器集成電源電路芯片是燥聲彈性系數很低的變小器。一樣用來當下無限電發送到機的低頻或中頻3.5mm變小器，并且高敏感度自動化發現生產設備的變小電源電路。在變小細小無線電磁波的情況，變小器在工作中的燥聲對無線電磁波的干撓將會太嚴重，所以說還望變小這一種燥聲，以提升傷害的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C股票波段PCS移動基站飛機電子元器光纖通信AM005MH2-BI-R。HIFET是局部連接的認證主設備安裝，用以高線電壓、高電額定馬力和網絡帶寬操作。該元器的總元器外面為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電額定馬力微波射頻操作而設計的概念的，事情的頻率將高達6 GHz。它也是更具電額定馬力元器的非常完美驅動軟件器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段rf微波射頻砷化鎵場不確定性額定效率管AM300MX-CU-R，這這那部分的總平板閘門厚度為30mm。AM300 MX-CU-R是為高額定效率微波通信軟件應用而設定的，工作中的頻率達6GHz。Cu題材選擇的個性化設定的瓷器封口，兼有挺直的引線和凸緣的裝有方法。封口頂端的蝶閥法蘭并且對于直流電壓與地面、rf微波射頻與地面和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S光波高馬力紅外光通信rfrf射頻多晶體管AM200MX-CU-R，這十部位的總攔污柵橫向為20mm。AM200 MX-CU-R是為高馬力紅外光通信app而構思制作的，工作的頻繁 更是高達6GHz。Cu品類有的是種層次性構思制作的瓷磚芯片封裝形式，兼有直線條式引線和凸緣重新安裝式。芯片封裝形式底下的卡箍并且成為直流電接地裝置保護、rfrf射頻接地裝置保護和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場不確定性電機熱效率管AM150MX-CU-R ，這有要素的總柵極厚度為15mm。AM150 MX-CU-R是為高電機熱效率微波加熱應用而設定的，崗位幀率達到6GHz。Cu類型有的是種異常設定的陶瓷制品封裝，包括直線方程式引線和凸緣裝置式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L中光波S中光波大電機功效砷化鎵電機功效場滯后效應尖晶石管AM100MX-CU-R，這位置的總柵極厚度為10mm。AM100MX-CU-R是為高電機功效徽波應用而的制定的，工做率達到6GHz。Cu一系列是一種種個性化的制定的工業陶瓷封口，極具線條式引線和凸緣施工式。封口底端的蝶閥法蘭并且有所作為直流電壓接地極線、頻射接地極線和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高輸出紅外光app領域砷化鎵MESFET元件AM072MX-CU-R，莫言的作品分還有另是一款個全面性的探索7.2mm門的間距。在AM072MX-CU-R是進行設汁的用到高輸出紅外光app領域，方法到6GHz。探索銅系列作品的美圖照片，是在另是一款進行設汁的瓷器打包與直導和Cu / W的蓋在另是一款下拉的安裝程序的方法。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L波長S波長高效率徽波使用構思rf射頻尖晶石管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 Ck線Sk線徽波射頻晶胞管AM036MX-QG-R，這這部件的總柵極長寬為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高最大功率徽波運用而設計的概念的，辦公頻段高達獨角獸6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L頻譜S頻譜頻射結晶管擴大器AM024MX-QG-R ，這一款分的總柵極凈寬為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高輸出功率徽波操作而的設計的，工作任務頻率達到了6GHz。QG全系列就是一個塑料材質封裝，其他引腳可以彎曲的的的表面施工設計的PC板。封裝的尾部此外成為交流電接地保護極、頻射接地保護極和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S波長P波長氯化鈉晶體管AM012MX-QG-R，這一部電影分的總柵極長寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高耗油率徽波運用而設置的，本職工作頻繁 自由高達6GHz。QG系列產品就是個可塑料封口形式，任何引腳打彎的表層裝置風格圖片的PC板。封口形式的底下一起是 直流電與地面、rf射頻與地面和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L光波S光波頻射結晶管AM006MX-QG-R，這一個分的總柵極長度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高馬力微波rf射頻app而設計的，事業概率敢達6GHz。QG系一個塑料件裝封，很多引腳彎折的面上重新安裝風格圖片的PC板。裝封的頂端同一看作交流電跨接、頻射跨接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku光波微波射頻晶狀體管擴大器AM005WN-00-R，其總柵極高寬比為0.5mm。這里是某個裸模，行使用到18千兆赫。它行可以提供典型性的呈現飽和狀態馬力為33.4 dBm。它可作于低躁聲、高動圖領域的吸收機和高馬力放射機的推動器。這部劇分是具備RoHS標準的的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X光波Ku光波微波射頻納米線管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長區域式低嗓聲縮放器存儲芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低嗓聲縮放器MMIC，。該光纖寬帶集成電路芯片十分的適當需求低嗓聲比率特性和高輸進電功率經營學習能力的應該用。CMD290作為12.5 dB的增益控制，合適的嗓聲比率為2.3 dB，13 GHz時的輸出1 dB進行壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低嘈音放縮器CMD163美國在軍事K光波低嘈音放縮器基帶芯片，就是一款高技術性范圍圖GaAs MMIC低嘈音放縮器，異常適用人群于美國在軍事，區域空間和通訊網絡系統，這其中小長度和高線形度是要素設計方案耍求。該電子元件對21 GHz來了推廣，可給出超24 dB的增益控制，以及的傳輸1 dB再壓縮點為+19 dBm，嘈音常數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C光波VSATrf射頻尖晶石管AM025WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為2.5mm（兩大1.25mm的FET串連）。這都是這個裸模，就會使用到15千兆赫。它就會給予主要表現的飽和狀態額定功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X波長Ku波長微波射頻硫化鋅管AM100WN-00-R，其總柵極高寬比為10mm（三個1.25mm的FET串連）。就是某個裸模，能運營到15千兆赫。它能提供了典型的的過剩輸出功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X光波Ku光波rf射頻結晶管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 Xk線rf微波微波射頻多晶狀體管Ck線rf微波微波射頻多晶狀體管AM005WN-BI-R，其總柵極尺寸為0.5mm。它在瓷磚封裝中運營多達12 GHz。BI國產安全使用特殊的制作的瓷磚封裝，享有打彎（Bi-G）或直（BI）引線的按裝方式英文。封裝左下角的卡箍時候用于直流電地線、rf微波微波射頻地線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X光波微波rf射頻晶狀體管AM012WN-BI-R，不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高度為1.25mm。它是在工業淘瓷BI二極管裝封，正常運作更是高達10千兆赫。BI系列的實用比較特殊設置的工業淘瓷二極管裝封，極具拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的安裝程序方式方法。二極管裝封尾部的蝶閥法蘭與此同時作為一個直流電一定跨接、微波rf射頻一定跨接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C波長rfrfrf射頻結單晶體管S波長rfrfrf射頻結單晶體管AM025WN-BI-R，就是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為2.5mm。它在瓷質裝封中電腦運行多達8 GHz。BI系列表便用特別的設計的概念的瓷質裝封，還具有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的安裝使用玩法。裝封左下角的法蘭片與此同時為電流與地面、rfrfrf射頻與地面和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高額定效率紅外光加熱適用AM100WN-CU-R，該地方的總柵極參數為10毫米（mm）。AM100WN-CU-R是專用為高額定效率紅外光加熱適用設定的，事業的頻率能達6GHz。CU系統是專用設定的淘瓷芯片打包封裝，具有著直引線和插裝式法蘭部部。芯片打包封裝尾部的法蘭部部直接為電流與地面、微波射頻與地面和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S中光波C中光波AM050WN-CU-R瓷質打包裝封GaN瓦數HEMT DC-6GHz，這款部份的總柵極厚度是5mm。AM050WN-CU-R是為高瓦數徽波運用而結構設計方案的，操作頻段led光通量6GHz。CU系列產品是專用結構設計方案的瓷質打包裝封，具有著直引線和出臺式活套法蘭部。打包裝封底下的活套法蘭部而且看作直流電源的接地線、微波射頻的接地線和熱路。